Name: SI2334DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2334DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (89 reviews)

SI2334DS-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI2334DS-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Ficha técnica	SI2334DS-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Especificações do SI2334DS-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	634pF @ 15V
Vgs (máx.)	±8V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SI2334DS-T1-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI2334DS-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI2334DS-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI2334DS-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

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6000

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D# SI2334DS-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3

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D# 1858943RL

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MOSFET,N CH,30V,4.9A,DIODE,SOT23

RoHS: Compliant

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