Name: SI2331DS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2331DS-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (122 reviews)

SI2331DS-T1-E3

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Nº de peças	SI2331DS-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Ficha técnica	SI2331DS-T1-E3 Ficha técnica
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Especificações do SI2331DS-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 6V
Vgs (máx.)	±8V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SI2331DS-T1-E3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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