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SI2311DS-T1-GE3

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SI2311DS-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI2311DS-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Ficha técnica

SI2311DS-T1-GE3 Ficha técnica

pacote TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Em estoque 676.224 piece(s)
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Especificações do SI2311DS-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds970pF @ 4V
Vgs (máx.)±8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSOT-23-3
Pacote / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2311DS-T1-GE3 folha de dados

SI2311DS-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI2311DS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2311DS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2311DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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