Name: SI2303BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2303BDS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

SI2303BDS-T1-GE3

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Nº de peças	SI2303BDS-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Ficha técnica	SI2303BDS-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Especificações do SI2303BDS-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Series	-
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.49A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.7A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SI2303BDS-T1-GE3 FAQ

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Vishay Siliconix

P CH MOSFET, -30, -1.49A, SOT-23

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D# SI2303BDS-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

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Vishay Intertechnology, I

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Vishay Siliconix

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