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SI2302ADS-T1-GE3

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SI2302ADS-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI2302ADS-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Ficha técnica

SI2302ADS-T1-GE3 Ficha técnica

pacote TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Em estoque 968.124 piece(s)
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Especificações do SI2302ADS-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.1A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Vgs (máx.)±8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSOT-23-3 (TO-236)
Pacote / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2302ADS-T1-GE3 folha de dados

SI2302ADS-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI2302ADS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2302ADS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2302ADS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

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16128
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Vishay Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2380
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

9000
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# NS-SI2302ADS-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6395
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SI2302ADST1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

2016
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SI2302ADS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

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9015
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Vishay Huntington

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