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SI1917EDH-T1-E3

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SI1917EDH-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI1917EDH-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Ficha técnica

SI1917EDH-T1-E3 Ficha técnica

pacote 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Em estoque 300.924 piece(s)
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Especificações do SI1917EDH-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs370 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 100µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max570mW
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do FornecedorSC-70-6 (SOT-363)

SI1917EDH-T1-E3 folha de dados

SI1917EDH-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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