Name: SI1473DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1473DH-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (74 reviews)

SI1473DH-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI1473DH-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
Ficha técnica	SI1473DH-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Especificações do SI1473DH-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	365pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SC-70-6 (SOT-363)
Pacote / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Vishay Intertechnologies

4006

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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 30 V 100 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-70-6

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SI1473DHT1GE3

Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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Descrição

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SI1473DH-T1-GE3

D# SI1473DH-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

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