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SI1473DH-T1-E3

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SI1473DH-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI1473DH-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
Ficha técnica

SI1473DH-T1-E3 Ficha técnica

pacote 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Em estoque 46.440 piece(s)
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Especificações do SI1473DH-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.7A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds365pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSC-70-6 (SOT-363)
Pacote / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SI1473DH-T1-E3 folha de dados

SI1473DH-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI1473DH-T1-E3 FAQ

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Vishay Intertechnologies

1873
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Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.6A, SC-70, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:1.6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):145mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:-3V , RoHS Compliant: Yes

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# SI1473DH-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

0
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33525
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2229
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D# NS-SI1473DH-T1-E3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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