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SI1305EDL-T1-E3

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SI1305EDL-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI1305EDL-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
Ficha técnica

SI1305EDL-T1-E3 Ficha técnica

pacote SC-70, SOT-323
ECAD
Em estoque 180.000 piece(s)
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Especificações do SI1305EDL-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteSC-70, SOT-323
ECAD
Series-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C860mA (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)290mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSC-70-3
Pacote / casoSC-70, SOT-323

SI1305EDL-T1-E3 folha de dados

SI1305EDL-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3

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