Name: SI1058X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1058X-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

SI1058X-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI1058X-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 20V SC89
Ficha técnica	SI1058X-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	SOT-563, SOT-666
ECAD
Em estoque	60.756 piece(s)
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Especificações do SI1058X-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	SOT-563, SOT-666
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	-
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.55V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	5.9nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 10V
Vgs (máx.)	±12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SC-89-6
Pacote / caso	SOT-563, SOT-666

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SI1058X-T1-GE3 Packaging

SI1058X-T1-GE3 FAQ

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N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

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