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SI1051X-T1-E3

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Apenas para referência

Nº de peças SI1051X-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Ficha técnica

SI1051X-T1-E3 Ficha técnica

pacote SOT-563, SOT-666
ECAD
Em estoque 6.512 piece(s)
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Especificações do SI1051X-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteSOT-563, SOT-666
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs9.45nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 4V
Vgs (máx.)±5V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSC-89-6
Pacote / casoSOT-563, SOT-666

SI1051X-T1-E3 folha de dados

SI1051X-T1-E3 Packaging

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Packing
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