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SI1025X-T1-E3

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SI1025X-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI1025X-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
Ficha técnica

SI1025X-T1-E3 Ficha técnica

pacote SOT-563, SOT-666
ECAD
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Especificações do SI1025X-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacoteSOT-563, SOT-666
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 25V
Potência - Max250mW
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoSOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do FornecedorSC-89-6

SI1025X-T1-E3 folha de dados

SI1025X-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI1025X-T1-E3 FAQ

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