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SCTWA30N120

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Nº de peças SCTWA30N120
Fabricante STMicroelectronics
Descrição IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Ficha técnica
pacote -
ECAD
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Especificações do SCTWA30N120

FabricanteSTMicroelectronics
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote-
ECAD
Series*
Tipo FET-
Tecnologia-
Drene para a tensão da fonte (Vdss)-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)-
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Temperatura de operação-
Tipo de montagem-
Pacote de Dispositivo do Fornecedor-
Pacote / caso-

SCTWA30N120 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SCTWA30N120 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SCTWA30N120 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SCTWA30N120. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SCTWA30N120 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SCTWA30N120 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SCTWA30N120 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SCTWA30N120?
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0
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WIDE BANDGAP TRANSISTORS (Alt: SCTWA30N120)

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WIDE BANDGAP TRANSISTORS (Alt: SCTWA30N120)

0
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MOSFET

RoHS: Not Compliant
pbFree: No
Min Qty: 1
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30
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D# SCTWA30N120-ND

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IC POWER MOSFET 1200V HIP247

600
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STMicroelectronics

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21200
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Silicon carbide Power MOSFET 1200V

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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9520
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30000
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RoHS: Compliant
50
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Min Qty: 30
Container: Tube
58
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube

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