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QJD1210010

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Apenas para referência

Nº de peças QJD1210010
Fabricante Powerex Inc.
Descrição MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Ficha técnica

QJD1210010 Ficha técnica

pacote Module
ECAD
Em estoque 4.064 piece(s)
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Especificações do QJD1210010

FabricantePowerex Inc.
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacoteModule
ECAD
Series-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETStandard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs500nC @ 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds10200pF @ 800V
Potência - Max1080W
Temperatura de operação-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote / casoModule
Pacote de Dispositivo do FornecedorModule

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QJD1210010 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

QJD1210010 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that QJD1210010 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the QJD1210010 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of QJD1210010?
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D# QJD1210010-ND

Powerex Power Semiconductors

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

0
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Powerex Power Semiconductors

SILICON CARBIDE MOSFET MODULES

RoHS: Not Compliant
0

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