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PSMN040-200W,127

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Apenas para referência

Nº de peças PSMN040-200W,127
Fabricante NXP
Descrição MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
Ficha técnica

PSMN040-200W,127 Ficha técnica

pacote TO-247-3
ECAD
Em estoque 3.248 piece(s)
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Especificações do PSMN040-200W,127

FabricanteNXP
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-247-3
ECAD
SeriesTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs183nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds9530pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-247-3
Pacote / casoTO-247-3

PSMN040-200W,127 folha de dados

PSMN040-200W,127 Packaging

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Sealing
Packing
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

593
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# NS-PSMN040-200W-127

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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