Name: PMDPB56XN,115
Brand: NXP
SKU: PMDPB56XN-115
Availability: InStock
Rating: 5 (187 reviews)

PMDPB56XN,115

Apenas para referência

Nº de peças	PMDPB56XN,115
Fabricante	NXP
Descrição	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Ficha técnica
pacote	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Em estoque	162.000 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do PMDPB56XN,115

Fabricante	NXP
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Series	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 15V
Potência - Max	510mW
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	6-UDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DFN2020-6

PMDPB56XN,115 Packaging

PMDPB56XN,115 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 2156-PMDPB56XN115-ND

Rochester Electronics LLC

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54000

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Estoque

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

64800

Nº de peças

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Estoque

PMDPB56XN115

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

54005

Nº de peças

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Descrição

Estoque

PMDPB56XN,115

NXP Semiconductors

Now Nexperia PMDPB56XN - Small Signal Field-Effect Transistor, HUSON6

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