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PHD22NQ20T,118

PHD22NQ20T,118

PHD22NQ20T,118

Apenas para referência

Nº de peças PHD22NQ20T,118
Fabricante NXP
Descrição MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
Ficha técnica

PHD22NQ20T,118 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 7.808 piece(s)
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Especificações do PHD22NQ20T,118

FabricanteNXP
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C21.1A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs30.8nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorDPAK
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PHD22NQ20T,118 folha de dados

PHD22NQ20T,118 Packaging

Customized Labels
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Packing
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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