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PHB11N06LT,118

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PHB11N06LT,118

Apenas para referência

Nº de peças PHB11N06LT,118
Fabricante NXP
Descrição MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Ficha técnica

PHB11N06LT,118 Ficha técnica

pacote TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Em estoque 3.808 piece(s)
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Especificações do PHB11N06LT,118

FabricanteNXP
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriesTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C10.3A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 25V
Vgs (máx.)±15V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorD2PAK
Pacote / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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PHB11N06LT,118 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PHB11N06LT,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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120
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

530
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D# NS-PHB11N06LT-118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

5605
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NXP Semiconductors

80
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