Name: NP23N06YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP23N06YDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (157 reviews)

NP23N06YDG-E1-AY

Apenas para referência

Nº de peças	NP23N06YDG-E1-AY
Fabricante	Renesas Electronics America
Descrição	MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Ficha técnica	NP23N06YDG-E1-AY Ficha técnica
pacote	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Em estoque	21.600 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
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Especificações do NP23N06YDG-E1-AY

Fabricante	Renesas Electronics America
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Series	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 11.5A, 10V
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-HSON
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

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NP23N06YDG-E1-AY Packaging

NP23N06YDG-E1-AY FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NP23N06YDG-E1-AY.

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Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin HSON T/R (Alt: NP23N06YDG-E1-AY)

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MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

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