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MRF8S19260HSR6

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MRF8S19260HSR6

Apenas para referência

Nº de peças MRF8S19260HSR6
Fabricante NXP
Descrição FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
Ficha técnica

MRF8S19260HSR6 Ficha técnica

pacote SOT-1110B
ECAD
Em estoque 14.520 piece(s)
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Especificações do MRF8S19260HSR6

FabricanteNXP
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - RF
pacoteSOT-1110B
ECAD
Series-
Tipo de transistorLDMOS (Dual)
Freqüência1.99GHz
Ganho18.2dB
Tensão - Teste30V
Classificação atual-
Figura de ruído-
Atual - teste1.6A
Potência74W
Voltagem - Rated65V
Pacote / casoSOT-1110B
Pacote de Dispositivo do FornecedorNI1230S-8

MRF8S19260HSR6 folha de dados

MRF8S19260HSR6 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

MRF8S19260HSR6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MRF8S19260HSR6 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# MRF8S19260HSR6

NXP Semiconductors

Power LDMOS Transistor N-Channel 65V 9-Pin Case-375J-2 T/R - Bulk (Alt: MRF8S19260HSR6)

RoHS: Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Freescale Semiconductor

RF POWER TRANSISTOR

0
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D# 2156-MRF8S19260HSR6-ND

Rochester Electronics LLC

RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL

40
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Rochester Electronics LLC

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Freescale Semiconductor

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D# NS-MRF8S19260HSR6

Freescale Semiconductor

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RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, N-Channel, MOSFET

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Freescale Semiconductor

IN stock Immediate delivery

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