Name: IXTQ182N055T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ182N055T
Availability: InStock
Rating: 5 (182 reviews)

IXTQ182N055T

Apenas para referência

Nº de peças	IXTQ182N055T
Fabricante	IXYS
Descrição	MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
Ficha técnica	IXTQ182N055T Ficha técnica
pacote	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Em estoque	6.512 piece(s)
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Especificações do IXTQ182N055T

Fabricante	IXYS
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Series	TrenchMV?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	182A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4850pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3P
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3

IXTQ182N055T folha de dados

IXTQ182N055T Packaging

IXTQ182N055T FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IXTQ182N055T-ND

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MOSFET N-CH 55V 182A TO3P

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D# 03AH1742

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D# NS-IXTQ182N055T

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MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

pbFree: Pb-Free

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IXYS Integrated Circuits Division

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