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IXTP110N055P

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Nº de peças IXTP110N055P
Fabricante IXYS
Descrição MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
Ficha técnica

IXTP110N055P Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 4.720 piece(s)
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Especificações do IXTP110N055P

FabricanteIXYS
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesPolarHT?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs76nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2210pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

IXTP110N055P folha de dados

IXTP110N055P Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IXTP110N055P FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTP110N055P is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IXTP110N055P price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTP110N055P?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IXYS Integrated Circuits Division

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