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IXTH13N110

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Nº de peças IXTH13N110
Fabricante IXYS
Descrição MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
Ficha técnica
pacote TO-247-3
ECAD
Em estoque 9.432 piece(s)
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Especificações do IXTH13N110

FabricanteIXYS
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-247-3
ECAD
SeriesMegaMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)1100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs195nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds5650pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs920 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-247 (IXTH)
Pacote / casoTO-247-3

IXTH13N110 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IXTH13N110 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH13N110 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTH13N110. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTH13N110 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTH13N110 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTH13N110 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IXTH13N110.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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