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IXTH12N90

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Nº de peças IXTH12N90
Fabricante IXYS
Descrição MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
Ficha técnica
pacote TO-247-3
ECAD
Em estoque 5.648 piece(s)
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Especificações do IXTH12N90

FabricanteIXYS
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-247-3
ECAD
SeriesMegaMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-247 (IXTH)
Pacote / casoTO-247-3

IXTH12N90 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IXTH12N90 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTH12N90. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTH12N90 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTH12N90 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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