Name: IXFX26N90
Brand: IXYS
SKU: IXFX26N90
Availability: InStock
Rating: 5 (93 reviews)

IXFX26N90

Apenas para referência

Nº de peças	IXFX26N90
Fabricante	IXYS
Descrição	MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
Ficha técnica	IXFX26N90 Ficha técnica
pacote	TO-247-3
ECAD
Em estoque	3.008 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IXFX26N90

Fabricante	IXYS
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-247-3
ECAD
Series	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10800pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PLUS247?-3
Pacote / caso	TO-247-3

IXFX26N90 folha de dados

IXFX26N90 Packaging

IXFX26N90 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Single N-Channel 900 V 560 W 240 nC Power Mosfet Through Hole - PLUS-247

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VBsemi Electronics Co Ltd

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IXYS Corporation

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2158

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IXFX26N90

D# NS-IXFX26N90

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OEM/CM ONLY

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IXFX26N90

IXYS Corporation

OEM/CM ONLY

3736

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Toshiba America Electronic Components

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