Name: IXFN150N10
Brand: IXYS
SKU: IXFN150N10
Availability: InStock
Rating: 5 (191 reviews)

IXFN150N10

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Nº de peças	IXFN150N10
Fabricante	IXYS
Descrição	MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Ficha técnica	IXFN150N10 Ficha técnica
pacote	SOT-227-4, miniBLOC
ECAD
Em estoque	7.600 piece(s)
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Especificações do IXFN150N10

Fabricante	IXYS
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	SOT-227-4, miniBLOC
ECAD
Series	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	150A
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9000pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 75A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-227B
Pacote / caso	SOT-227-4, miniBLOC

IXFN150N10 folha de dados

IXFN150N10 Packaging

IXFN150N10 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFN150N10 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFN150N10 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IXFN Series Single N-Channel 100 Vds 12 mOhm 520 W Power Mosfet - SOT-227B

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