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IXFH9N80

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Nº de peças IXFH9N80
Fabricante IXYS
Descrição MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Ficha técnica

IXFH9N80 Ficha técnica

pacote TO-247-3
ECAD
Em estoque 103.464 piece(s)
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Especificações do IXFH9N80

FabricanteIXYS
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-247-3
ECAD
SeriesHiPerFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-247AD (IXFH)
Pacote / casoTO-247-3

IXFH9N80 folha de dados

IXFH9N80 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IXFH9N80 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXFH9N80 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXFH9N80. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXFH9N80 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXFH9N80 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXFH9N80?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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