Name: IXFH58N20Q
Brand: IXYS
SKU: IXFH58N20Q
Availability: InStock
Rating: 5 (125 reviews)

IXFH58N20Q

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Nº de peças	IXFH58N20Q
Fabricante	IXYS
Descrição	MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Ficha técnica	IXFH58N20Q Ficha técnica
pacote	TO-247-3
ECAD
Em estoque	422.280 piece(s)
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Especificações do IXFH58N20Q

Fabricante	IXYS
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-247-3
ECAD
Series	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	58A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 29A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso	TO-247-3

IXFH58N20Q folha de dados

IXFH58N20Q Packaging

IXFH58N20Q FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFH58N20Q we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFH58N20Q only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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