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IRLB3036PBF

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Apenas para referência

Nº de peças IRLB3036PBF
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Ficha técnica

IRLB3036PBF Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 48.012 piece(s)
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Especificações do IRLB3036PBF

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C195A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds11210pF @ 50V
Vgs (máx.)±16V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 165A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220AB
Pacote / casoTO-220-3

IRLB3036PBF folha de dados

IRLB3036PBF Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IRLB3036PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRLB3036PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRLB3036PBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

0
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D# IRLB3036PBF

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Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRLB3036PBF)

RoHS: Compliant
0
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Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SP001568396)

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MOSFET, N-CH 60V 195A TO220

111
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MOSFET

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MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

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16260
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MOSFET, N-CH 60V 195A TO220

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
0
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 2.4 mOhm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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N-Channel 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB

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TO-220AB/POWER MOSFET (Continuous Drain Current VGS @ 10V (PackageLimited

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D# 27AC6940

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Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:165A, On Resistance Rds(on):0.0019ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Bulk
0
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D# NS-IRLB3036PBF

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OEM/CM ONLY

4269
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 195A I(D), 60V, 0.0024OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

20
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N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRLB3036PBF, PK

Min Qty: 2
Container: Package
84
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D# TMOSP12588

Infineon Technologies AG

N-CH 60V 270A 2,4mOhm TO220-3

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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RFQ

1536
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D# 1698300

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MOSFET, N-CH 60V 195A TO220

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