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IRG8CH106K10F

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Apenas para referência

Nº de peças IRG8CH106K10F
Fabricante Infineon Technologies
Descrição IGBT 1200V 110A DIE
Ficha técnica

IRG8CH106K10F Ficha técnica

pacote Die
ECAD
Em estoque 6.112 piece(s)
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Especificações do IRG8CH106K10F

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - IGBT - Simples
pacoteDie
ECAD
Series-
Tipo IGBT-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)-
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)-
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 110A
Potência - Max-
Energia de comutação-
Tipo de entradaStandard
Carga do Portão700nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C80ns/380ns
Condição de teste600V, 110A, 1 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)-
Temperatura de operação-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoDie
Pacote de Dispositivo do FornecedorDie

IRG8CH106K10F folha de dados

IRG8CH106K10F Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IRG8CH106K10F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRG8CH106K10F is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRG8CH106K10F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRG8CH106K10F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRG8CH106K10F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRG8CH106K10F.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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