Name: IRFB4215PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4215PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (145 reviews)

IRFB4215PBF

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Nº de peças	IRFB4215PBF
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
Ficha técnica	IRFB4215PBF Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	2.000 piece(s)
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Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do IRFB4215PBF

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	115A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4080pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 54A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3

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IRFB4215PBF Packaging

IRFB4215PBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRFB4215PBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, HEXFET, 60V, 115A, 270W

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D# IRFB4215PBF-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

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