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IRF8707GPBF

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Apenas para referência

Nº de peças IRF8707GPBF
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Ficha técnica

IRF8707GPBF Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 131.436 piece(s)
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Especificações do IRF8707GPBF

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.9 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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IRF8707GPBF Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IRF8707GPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF8707GPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF8707GPBF price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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N CHANNEL MOSFET, 30V, 11mA

14
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RoHS: Compliant
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MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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