Name: IRF8113GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8113GPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

IRF8113GPBF

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Nº de peças	IRF8113GPBF
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Ficha técnica	IRF8113GPBF Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque	41.040 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do IRF8113GPBF

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	17.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2910pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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IRF8113GPBF Packaging

IRF8113GPBF FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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D# IRF8113GPBF

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Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC - Bulk (Alt: IRF8113GPBF)

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MOSFET, 30V, 16.6A, 6 MOHM, 24 NC QG, SO-8, HALOGEN-FREE

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D# 2156-IRF8113GPBF-IR-ND

Rochester Electronics LLC

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