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IRF7342D2PBF

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IRF7342D2PBF

Apenas para referência

Nº de peças IRF7342D2PBF
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Ficha técnica

IRF7342D2PBF Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 8.736 piece(s)
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Especificações do IRF7342D2PBF

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesFETKY?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3.4A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 25V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs105 mOhm @ 3.4A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7342D2PBF folha de dados

IRF7342D2PBF Packaging

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Packing
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