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IRF630BTSTU_FP001

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Apenas para referência

Nº de peças IRF630BTSTU_FP001
Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Ficha técnica

IRF630BTSTU_FP001 Ficha técnica

pacote TO-220-3 Cropped Leads
ECAD
Em estoque 3.456 piece(s)
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Especificações do IRF630BTSTU_FP001

FabricanteFairchild/ON Semiconductor
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3 Cropped Leads
ECAD
Series-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 25V
Vgs (máx.)±30V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-220-3
Pacote / casoTO-220-3 Cropped Leads

IRF630BTSTU_FP001 folha de dados

IRF630BTSTU_FP001 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF630BTSTU_FP001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF630BTSTU_FP001 price and inventory displayed accurate?
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

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Fairchild Semiconductor Corporation

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