Name: IRF5803D2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5803D2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (171 reviews)

IRF5803D2PBF

Apenas para referência

Nº de peças	IRF5803D2PBF
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Ficha técnica	IRF5803D2PBF Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque	2.064 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
Tempo de entrega estimado	nov 24 - nov 29 (Escolha o envio acelerado)
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Especificações do IRF5803D2PBF

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	FETKY?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112 mOhm @ 3.4A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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IRF5803D2PBF FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

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