Name: IPP80N06S2H5AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80N06S2H5AKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (175 reviews)

IPP80N06S2H5AKSA1

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Nº de peças	IPP80N06S2H5AKSA1
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Ficha técnica	IPP80N06S2H5AKSA1 Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	5.344 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IPP80N06S2H5AKSA1

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 230µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4400pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-3-1
Pacote / caso	TO-220-3

IPP80N06S2H5AKSA1 folha de dados

IPP80N06S2H5AKSA1 Packaging

IPP80N06S2H5AKSA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP80N06S2H5AKSA1.

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(1)Inform us within 90 days

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