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IPP50CN10NGXKSA1

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Apenas para referência

Nº de peças IPP50CN10NGXKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
Ficha técnica

IPP50CN10NGXKSA1 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 4.528 piece(s)
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Especificações do IPP50CN10NGXKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1090pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO-220-3
Pacote / casoTO-220-3

IPP50CN10NGXKSA1 folha de dados

IPP50CN10NGXKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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IPP50CN10NGXKSA1 FAQ

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  • 3. Are the IPP50CN10NGXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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Infineon Technologies AG

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RoHS: Not Compliant
0
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Infineon Technologies AG

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0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# 2156-IPP50CN10NGXKSA1-IT-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3

3660
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPP50CN10NGXKSA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

4246
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPP50CN10NGXKSA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 20A, 100V, 0.05ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
3660

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