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IPP16CN10LGXKSA1

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Apenas para referência

Nº de peças IPP16CN10LGXKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Ficha técnica

IPP16CN10LGXKSA1 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 6.080 piece(s)
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Especificações do IPP16CN10LGXKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C54A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 61µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4190pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.7 mOhm @ 54A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO-220-3
Pacote / casoTO-220-3

IPP16CN10LGXKSA1 folha de dados

IPP16CN10LGXKSA1 Packaging

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Packing
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Infineon Technologies AG

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RoHS: Not Compliant
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D# 2156-IPP16CN10LGXKSA1-IT-ND

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MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3

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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Rochester Electronics LLC

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16167
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 54A, 100V, 0.0157ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
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