Name: IPP13N03LB G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP13N03LB-G
Availability: InStock
Rating: 5 (166 reviews)

IPP13N03LB G

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Nº de peças	IPP13N03LB G
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
Ficha técnica	IPP13N03LB G Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	5.696 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IPP13N03LB G

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1355pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.8 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-3-1
Pacote / caso	TO-220-3

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IPP13N03LB G Packaging

IPP13N03LB G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP13N03LB G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP13N03LB G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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