Name: IPP12CNE8N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP12CNE8N-G
Availability: InStock
Rating: 5 (167 reviews)

IPP12CNE8N G

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Nº de peças	IPP12CNE8N G
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
Ficha técnica	IPP12CNE8N G Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	2.432 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IPP12CNE8N G

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	85V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	67A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 40V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.9 mOhm @ 67A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO-220-3
Pacote / caso	TO-220-3

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IPP12CNE8N G Packaging

IPP12CNE8N G FAQ

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPP12CNE8N G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP12CNE8N G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP12CNE8N G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP12CNE8N G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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