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IPP12CN10NGXKSA1

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Apenas para referência

Nº de peças IPP12CN10NGXKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
Ficha técnica
pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 2.832 piece(s)
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Especificações do IPP12CN10NGXKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C67A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4320pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.9 mOhm @ 67A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO-220-3
Pacote / casoTO-220-3

IPP12CN10NGXKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPP12CN10NGXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP12CN10NGXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPP12CN10NGXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPP12CN10NGXKSA1?
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