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IPP100N06S3L-03

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IPP100N06S3L-03

Apenas para referência

Nº de peças IPP100N06S3L-03
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Ficha técnica

IPP100N06S3L-03 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
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Especificações do IPP100N06S3L-03

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 230µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs550nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds26240pF @ 25V
Vgs (máx.)±16V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO220-3-1
Pacote / casoTO-220-3

IPP100N06S3L-03 folha de dados

IPP100N06S3L-03 Packaging

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Sealing
Packing
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Infineon Technologies AG

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D# IPP100N06S3L-03IN-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

0
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VBsemi Electronics Co Ltd

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Infineon Technologies AG

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2900
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D# NS-IPP100N06S3L-03

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OEM/CM ONLY

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