Name: IPP080N06N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP080N06N-G
Availability: InStock
Rating: 5 (178 reviews)

IPP080N06N G

Apenas para referência

Nº de peças	IPP080N06N G
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Ficha técnica	IPP080N06N G Ficha técnica
pacote	TO-220-3
ECAD
Em estoque	2.496 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IPP080N06N G

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-220-3
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 30V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-3-1
Pacote / caso	TO-220-3

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IPP080N06N G Packaging

IPP080N06N G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP080N06N G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP080N06N G only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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