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IPP072N10N3GHKSA1

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Apenas para referência

Nº de peças IPP072N10N3GHKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Ficha técnica

IPP072N10N3GHKSA1 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 3.296 piece(s)
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Especificações do IPP072N10N3GHKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4910pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO-220-3
Pacote / casoTO-220-3

IPP072N10N3GHKSA1 folha de dados

IPP072N10N3GHKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP072N10N3GHKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube

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