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IPP06CN10LGXKSA1

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Nº de peças IPP06CN10LGXKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Ficha técnica

IPP06CN10LGXKSA1 Ficha técnica

pacote TO-220-3
ECAD
Em estoque 4.528 piece(s)
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Especificações do IPP06CN10LGXKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-220-3
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 180µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs124nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds11900pF @ 50V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO-220-3
Pacote / casoTO-220-3

IPP06CN10LGXKSA1 folha de dados

IPP06CN10LGXKSA1 Packaging

Customized Labels
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Packing
Insepction

IPP06CN10LGXKSA1 FAQ

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