Name: IPI041N12N3GAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI041N12N3GAKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

IPI041N12N3GAKSA1

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Nº de peças	IPI041N12N3GAKSA1
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Ficha técnica	IPI041N12N3GAKSA1 Ficha técnica
pacote	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Em estoque	7.888 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IPI041N12N3GAKSA1

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	211nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13800pF @ 60V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO262-3
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

IPI041N12N3GAKSA1 folha de dados

IPI041N12N3GAKSA1 Packaging

IPI041N12N3GAKSA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPI041N12N3GAKSA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPI041N12N3GAKSA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPI041N12N3GAKSA1.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

IPI041N12N3GAKSA1

D# V36:1790_06377393

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

IPI041N12N3GAKSA1

D# IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IPI041N12N3GAKSA1)

RoHS: Compliant

Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

IPI041N12N3GAKSA1

D# IPI041N12N3GAKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

IPI041N12N3 G

D# 726-IPI041N12N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

Nº de peças

Fabricante

Descrição

Estoque

IPI041N12N3GAKSA1.

D# 32AC0679

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:120V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0041ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, MSL:- RoHS Compliant: Yes

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