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IPI037N08N3GHKSA1

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Apenas para referência

Nº de peças IPI037N08N3GHKSA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Ficha técnica

IPI037N08N3GHKSA1 Ficha técnica

pacote TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Em estoque 3.376 piece(s)
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Especificações do IPI037N08N3GHKSA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SeriesOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 155µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds8110pF @ 40V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.75 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO262-3
Pacote / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

IPI037N08N3GHKSA1 folha de dados

IPI037N08N3GHKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPI037N08N3GHKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPI037N08N3GHKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPI037N08N3GHKSA1 price and inventory displayed accurate?
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