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IPD90R1K2C3BTMA1

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IPD90R1K2C3BTMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPD90R1K2C3BTMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
Ficha técnica

IPD90R1K2C3BTMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 5.824 piece(s)
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Especificações do IPD90R1K2C3BTMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C5.1A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 310µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 100V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPG-TO252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD90R1K2C3BTMA1 folha de dados

IPD90R1K2C3BTMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPD90R1K2C3BTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD90R1K2C3BTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD90R1K2C3BTMA1 price and inventory displayed accurate?
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# IPD90R1K2C3BTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD90R1K2C3BTMA1

D# 2726059RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

IPD90R1K2C3BTMA1

D# 2726059

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0

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