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IPD80R1K4CEBTMA1

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IPD80R1K4CEBTMA1

Apenas para referência

Nº de peças IPD80R1K4CEBTMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descrição MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Ficha técnica

IPD80R1K4CEBTMA1 Ficha técnica

pacote TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque 4.528 piece(s)
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Especificações do IPD80R1K4CEBTMA1

FabricanteInfineon Technologies
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriesCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3.9A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 240µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 100V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-252-3
Pacote / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD80R1K4CEBTMA1 folha de dados

IPD80R1K4CEBTMA1 Packaging

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IPD80R1K4CEBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD80R1K4CEBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD80R1K4CEBTMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

0
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